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驍龍835真機首秀跑分大曝光秒驍龍821

发布时间:2019-05-02 03:57:16 编辑:笔名

高通今天在京舉辦發布會,正式在亞洲首秀驍龍835移動平臺。移動平臺是高通上周提出的新命名,取代此前的xx處理器,更強調SoC的屬性。

现在我们也拿到了首份官方中文规格表,一起来详细了解下:

工艺尺寸:骁龙835采取10nm FinFET制程,三星代工,尺寸减小35%,功耗降低25%。

CPU:采用八核Kryo 280自研核心,主频2.45GHz(早先资料称,小核是1.9GHz,待官方确认),这比骁龙821的2.35GHz提升了4%(小核提升了18%),终究性能提升20%。

GPU:Adreno 540,图形速度提升25%,色采提升60倍。支持4K屏(60FPS)、10位色深、支持DP、HDMI和USB-C视频流传输。

基带:X16调制解调器,全球千兆LTE基带,4载波聚合、7模全通。

充电:QC4.0技术,15分钟可充50%的电,速度提升20%。

内存:LPDDR4X双通道、UFS 2.1、SD3.0(UHS-1)

连接性:802.11ad(60GHz)、802.11ac(2x2 MU-MIMO)、蓝牙5.0

定位:支持GPS、格洛纳斯、北斗、伽利略

ISP:高通Spectra 180,双14位ISP、支持双1600万/单3200万镜头,可录制HDR视频。

DSP:Hexagon 682,集成向量扩展,支持TensorFlow和Halide,视频:4K 30FPS拍摄、4K 60FPS播放,可解码H.264/265/VP9。音频:Aqstic音频编解码器,支DSD、123dB高信噪比。

在发布会现场,我们也体验了骁龙835参考设计样机,一起来看看。

需要注意的是,这只是一部开发机,仅供设计参考,不代表实际产品。

左侧是骁龙821,右侧是骁龙835:工艺从14nm升级为10nm,尺寸减小35%,功耗下降25%。

高通自己的骁龙835参考设计样机:外观很朴素,比较方正,背部摄像头十分惹眼。

电源键在右侧。

音量键在左侧。

底部有3.5mm、USB Type-C。

?安兔兔跑分18万,iPhone 7 Plus的水平,不是很高,不过跑分波动性很大,理论上应该可以超过20万的。骁龙821可以跑到16万。

安兔兔已经识别得很好:6GB内存、64GB存储、2K屏幕、2140万像素摄像头、安卓7.1.1系统。

GeekBench 4跑分单核心过2000,多核心接近6500,相当了,相比于骁龙821分别提升超过10%、50%。

GFXBench四个项目的离屏成绩分别为26FPS、43FPS、64FPS、110FPS,比骁龙821都提高了10+FPS。

3DMark跑分,比骁龙821提高了超过25%。

PCMark跑分。

Google Octane跑分。

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